去北京参加了2018中国存储与数据峰会，总得整理一下听的内容呀，供大家了解了解~
12月11日
中午到达，听了下午的会议，下面挑几个介绍一哈
1.2018到2022数据中心SSD的新故事
——Memblaze产品副总裁 张泰乐
张泰乐本人在NVMe、3D NAND 以及全球 SSD 市场发展和演进等多个领域有深入的研究和独到的见解，是不折不扣的业内专家
闪存
闪存是数据中心存储的未来，从闪存和控制器芯片到SSD，再到存储和数
1、闪存和介质
闪存是数据中心存储的未来，从闪存和控制器芯片到SSD，再到存储和数据中心基础架构，都围绕闪存产生了一大批新的技术和理念。
以前PCIe SSD还非常小众，缺乏标准化的领域，然而十年后NVMe 、3D NAND、全闪存阵列等技术都已经越来越成熟
目前的闪存主要分为NAND和NOR Flash ，其中NAND是按page读写，按block擦除，NOR为字节存储，目前大多数都是NAND型闪存
NAND价格预测
SSD的主要成本来自NAND
2、协议与功能
NVMe对上层来说是一个黑盒子，它的latency是不可控的
QLC
SLC——MLC——TLC——QLC
区别：一个晶体管可以放多少位，位数不同，电压变化也是不同的。上述不同类型使用寿命相差大
1、SLC：Single-Level Cell，每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速-
- 特点：寿命长，性能强，寿命在1万到10万次之间
- 缺点：容量低，成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息
2、MLC：Multi-Level Cell，每个cell单元存储2bit信息，电压有四种变化，所以它比SLC需要更复杂的的电压控制，加压过程用时也变长，意味着写入性能降低了，同时可靠性也下降了，P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等
3、TLC：Trinary-Level Cell，3bit MLC，每个cell单元存储3bit信息，电压有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次
4、QLC：Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，一个晶体管可以放四个bit，电压有16种变化，容量增加了33%，但是写入性能差，寿命低，价格低。重写一遍基本不会再重写，与以往擦写不同。
说到这里，你是否会想到既然QLC容量上增加了那么多，价格还便宜，在未来是否会完全取代机械硬盘HDD呢？
闪存价格趋势
闪存的价格持续走低，闪存进一步普及：
summary
闪存与介质
- 闪存价格将持续下降，普及加速
- 3D TLC在企业级已经成为绝对主流，QLC的市场份额在未来5年将显著增加，但无法取代TLC
- 3D xPoint等新介质值得关注，但需要寻求新的程序模型与生态建设
协议与功能
- NVMe是当前以及未来5年最主要的接口，NVMe在不断完善
- 各自特殊的定制化会不断出现，但投入产出风险很大
- PCLe未来5年会增加4倍速度。SSD进入一个快速发展阶段
2.存储新势力——华为全系列NVMe全闪存发布会
——华为 肖德刚
华为的全闪存技术是市场的领导者
来自会场的展览图：
华为在闪存领域13年持续积累：
2005年，华为投入SSD研发
2008年，自主研发第一代 SATA SSD
2011年，第一代全闪存阵列Dorado2100上市
2012年，第二代全闪存阵列Dorado2100 G2上市，具备磨损均衡能力
2015年，业界领先的12G bit/s SAS SSD
2016年，又快又稳全闪存Dorado V3上市
2017年，业界首个商用NVMe全闪存 Dorado5000 V3上市
业内唯一全系列支持NVMe，领先于Dell EMC、NetApp和Pure Storage
一套系列同时支持SAN和NAS，企业级特性齐备，提供更高品质的数据服务，数据缩减率可达5:1，性能和效率兼得
3.新存储、驱数据、领未来
——紫光西部数据 靳扬
云计算————————大数据————————人工智能
(数据获取) (数据存储) (数据处理)
技术
当今世界，已经是一个数据爆炸的时代了，那么如何来提高一系列性能呢？
1、极致性能
- 最快响应，提高I/O吞吐能力
- 任何时间、任何设备、进行安全访问
如何做？
动态跨云：跨云统一命名空间、多协议便捷访问、数据流的方式
2、跨云访问 - 云架构、虚拟桌面、虚拟服务器、……
3、AI就绪 - 边缘计算、大数据云平台
- 全闪存——分布式——海量存储
4、绿色运维 - 延时下降、空间节约、能源节约、能耗下降
紫光西部数据产品
UniverScale C18000 ： 自主、安全、可控
- 紫光西部数据UniverScale 分布式云存储系统是一套成熟、开放、经济、易用，基于软件定义的超规模多协议海量存储系统。采用弹性、稳定、高效、融合，支持纵向和横向全方位扩展（Scale Anything）的全对称分布式架构
- 采用高级别冗余模式，数据耐受度极高，可满足EB级存储容量需求、千万级IOPS性能以及百GB级综合带宽需求
- 统可广泛应用于气象预测、 教育科研、 能源勘探、广电媒资、视频监控、生物工程、卫星测绘等领域，面向大数据分析、私有云、高性能计算、海量文件、桌面云和大容量备份归档等多种应用场景。
4.打造“硬核”存储，构筑数字化基石
——郑穆 紫晶存储
存储介质
介质是存储领域的关键技术,在当前普及的磁、光、电存储技术中, 国外公司始终把控着磁、电的核心介质,国内无法做到真正自主可控,存储安全问题面临极大的挑战。因此,从底层存储介质开始实现安全可控成为了一种刚性需求
- 磁存储：硬盘、磁带
- 半导体存储技术：Flash Memory
- 光存储技术：光盘ODD，最核心的技术是
蓝光光盘
目前, 全息光存储技术是紫晶存储的研发方向,2019年,全息产品的样机即将问世。
在11号的会议上，sony公司也介绍了他们的光盘存储技术，有兴趣的可以去了解一下
Sony 公司：optical Disc Archive（ODA），1T，3GB/s
下面着重介绍下蓝光存储技术，这个词在这次会议上对我来说是第一次听到，也是非常的好奇了。
蓝光光盘（BDR）：它的记录层金属材料接收镭射激光转换成热能，并借由所造成对滴局部高温在记录层上形成“物理变换”。由于转换时不可逆的，因此已存储的数据不能够再被篡改，这是一种真正意义上的一次性写入的记录介质。所以理论上相比其他可能被攻击或篡改的介质，蓝光光盘在长期存储上很有优势，可以确保数据不可攻击和篡改。
紫晶存储BDR：
记录密度高存储容量大
405nm波长的蓝紫光激光器
0.85数值孔径的光学头
轨道间距为0.32微妙
蓝光光盘的记录介质采用无机材料
可实现超长寿命
基于紫晶存储自主开发的材料和技术
光盘采用非接触式读写
无接触、没有磨损、可靠性高、寿命长
记录的信息不会因为反复读取而产生信息衰减
激光头焦距的改变可以改变记录层的相对位置信息
这使得光存储实现多层记录称为可能
12月12日
12号是论坛 ，上午去听了闪存存储和应用论坛，下午串场先去听了西瓜哥讲的第二存储，之后都在闪存国际合作论坛。下午早早的去占座，坐到了VIP后面一排，然而下午各位大牛们讲的都是他们公司的产品，商业自吹，没有上午的有意思……虽然讲的都是各大公司的大牛！
1.阿里巴巴用户态单机存储引擎与SSD演进
——刘攀 阿里巴巴
用户态核心难点：
设备管理：重建设备管理运维体系
内存管理：实现虚拟地址映射虚实
进程通信：实现共享内存回收、死锁处理、内存互踩
提出了一个FusionEngine框架：协议、运维工具、测试平台等
用户态文件系统
痛点：元数据更新频繁，日志双写。
解决方案：
- 1、针对分布式存储的特点，定制化用户态文件系统
- 2、全新的数据格式，元数据更新频率降低到ext4的1/1000
下面介绍一下open channel SSD——AliFlash V3
Open Channel SSD(OCS)：这样控制器只负责Flash数据传输、ECC、RAID、垃圾回收引擎、错误处理、坏块管理等工作，而FTL层的设计由Host自己根据需求实现。这样也方便用几个控制器组成一个大的SSD，甚至阵列
�I want to say�
不同的技术有不同的对象，来解决不同的问题
考虑方案的时候往往是在特定场合下的，针对特定的问题，但是不妨碍我们去追求一种perfect、适合几乎所有应用场景的技术
最大的体会就是要清楚自己所研究的领域有哪些先进技术，未来发展趋势如何
这是第一次去听这样大型的会议，学习了很多，了解了很多，体会了很多，这一趟北京之行收获满满！也满足了再次去北京天安门广场的心愿，记得上一次去的时候是上小学前一年，当时还没有那么多的感触，只是感觉天安门广场宏伟壮观！转眼过去16年了！哇！再次看到的时候，跑过去正好一排护旗手走向前方，当国歌响起，护旗手撒开国旗的时候，迎着未升起的太阳，瞬间就起鸡皮疙瘩了，无法用言语来形容当时的心情！！
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good luck!
